酸化ガリウムのP層課題決着へ！FLOSFIAとJSR、世界初のP型半導体「酸化イリジウムガリウム」実用化に向けて進展！

量産のための新たなイリジウム系成膜材料を開発し、次世代パワー半導体による究極の半導体エコロジー®実現に向け大きく前進！

株式会社FLOSFIA（本社：京都市西京区、代表取締役社長：人羅俊実、以下FLOSFIA）とJSR株式会社（本社：東京都港区、代表取締役CEO：エリック ジョンソン、以下JSR）は、FLOSFIAがパワー半導体として展開する世界初のコランダム型酸化ガリウム【α-Ga2O3 】（以下「酸化ガリウム」）と組み合わせて使う新規P型半導体である、酸化イリジウムガリウム【α-(IrGa)2O3】（以下「酸化イリジウムガリウム」）の量産における課題を解消するため、新しいイリジウム系成膜材料を共同開発いたしました。今回開発した新材料を用いることで、酸化イリジウムガリウムの最大の特徴であるP型特性の発現はもちろん、産業応用に向け、量産における課題を解決する見通しがつきました。