FLOSFIA、酸化ガリウムのP層課題に決着！

世界で初めてウルトラワイドバンドギャップP型半導体「酸化イリジウムガリウム」と組み合わせた構造によりジャンクションバリア効果実証に成功

株式会社FLOSFIAでは、最先端のシリコンカーバイド（SiC）ダイオードでも用いられているJBS構造を酸化ガリウムデバイスに適用し、酸化イリジウムガリウム（α-(IrGa)2O3）薄膜をP型半導体層として埋め込み成長することで、ジャンクションバリア効果によるリーク電流抑制の実証に世界で初めて成功しました。